非易失存储器

　　1.简称 NVM: non-volatile memory

　　2.别名 也称作：非易失性存储器。

　　PCM（PRAM）: Phase-change Random Access memory,相变存储器。

　　3.信息描述 非易失性内存的一种，利用存储单元的可逆的相变来存储信息。可擦写的CD/DVD一直在用这种技术。目前主流技术是采用硫族元素（元素周期表上“氧”那一列）做的合金，一般采用的是锗、锑、碲合金（简称GST）。这种合金在常温下有两种状态，一种是不规则、无序的，具有较高的电阻（非晶态）；另一种是高度有序的，具有较低的电阻（晶态）。通过电脉冲局部集中加热的方式在这两种之间切换。和RAM一样，相变存储器是按位读写的。相比于Flash技术，相变存储器不需要单独的擦除步骤。读取延迟大约在50-100纳秒左右，写入延迟大约是几毫秒。PCM对运行环境的温度要求很敏感，一般工作在0-70摄氏度之间。

　　MRAM:magnetic random access memory，磁阻随机存取内存。

　　STT-MRAM: spin-transfer-torque magnetic RAM。实验室阶段，尚无产品。

　　ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可变电阻式存储器。

　　ECC（error correcting circuits）：对于BCH编码，从k位的数据中纠正t个错误，至少需要t * ceil (log2k) + 1个校验位。ECC采用标准的Hamming码再多加一位parity bit，于是可以检测一位及两位错误，并纠正一位错误。现在主要是采用64+8,即72位一组，其中64位是数据，8位是校验。

　　ECC是为DRAM设计的，对于Flash、NVM等，应考虑其它的方案。至少在有一点上有根本的不同，DRAM的错误一般都是临时性的，而FLASH、PCM等都是永久的。

　　fusionIO octal：MLC Nand，如果是纯512B的单位，IOPS 大约1百万左右。以64 kB的单元读写，读的带宽是6GB/s，写入带宽4.4GB/s。访问延迟30微秒。容量5.12T。

　　PCM需要程序做一些改进：

　　1、写之前先读，只写被修改的位。

　　2、每行前面加一个标志位。称为翻转位。假如为1，代表其它的位是0-1翻转过的。

　　不读写时可以不用通电保持数据，解决计算机存储和访问速度问题。

　　NVDIMM：non-volaitle dual inline memory module,一种集成了普通DDR RAM + 非易失性FLASH芯片的内存条。在系统异常掉电时，NVDIMM借助其后备超级电容作为动力源，在短时间内将数据放入flash芯片，从而永久保存内存中的数据。相比其他介质的非易失性内存，NVDIMM已逐步进入主流服务器市场，micron，viking，AGIGA等国外内存厂商皆以推出自己的NVDIMM。国内厂商云动科技也了推出了自己的NVDIMM产品，并给出了基于NVDIMM的全系统保护演示示例。