侵权投诉
首页 / 百科 / 非易失存储器
非易失存储器

非易失存储器

又名:非易失性存储器
分类: 电子工程
属性: 产品
最后修改时间: 2014年07月24日
本词条对我有帮助0
非易失性内存的一种,利用存储单元的可逆的相变来存储信息。可擦写的CD/DVD一直在用这种技术。

  1.简称 NVM: non-volatile memory

  2.别名 也称作:非易失性存储器

  PCM(PRAM): Phase-change Random Access memory,相变存储器。

  3.信息描述 非易失性内存的一种,利用存储单元的可逆的相变来存储信息。可擦写的CD/DVD一直在用这种技术。目前主流技术是采用硫族元素(元素周期表上“氧”那一列)做的合金,一般采用的是锗、锑、碲合金(简称GST)。这种合金在常温下有两种状态,一种是不规则、无序的,具有较高的电阻(非晶态);另一种是高度有序的,具有较低的电阻(晶态)。通过电脉冲局部集中加热的方式在这两种之间切换。和RAM一样,相变存储器是按位读写的。相比于Flash技术,相变存储器不需要单独的擦除步骤。读取延迟大约在50-100纳秒左右,写入延迟大约是几毫秒。PCM对运行环境的温度要求很敏感,一般工作在0-70摄氏度之间。

  MRAM:magnetic random access memory,磁阻随机存取内存。

  STT-MRAM: spin-transfer-torque magnetic RAM。实验室阶段,尚无产品。

  ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可变电阻式存储器。

  ECC(error correcting circuits):对于BCH编码,从k位的数据中纠正t个错误,至少需要t * ceil (log2k) + 1个校验位。ECC采用标准的Hamming码再多加一位parity bit,于是可以检测一位及两位错误,并纠正一位错误。现在主要是采用64+8,即72位一组,其中64位是数据,8位是校验。

  ECC是为DRAM设计的,对于Flash、NVM等,应考虑其它的方案。至少在有一点上有根本的不同,DRAM的错误一般都是临时性的,而FLASH、PCM等都是永久的。

  fusionIO octal:MLC Nand,如果是纯512B的单位,IOPS 大约1百万左右。以64 kB的单元读写,读的带宽是6GB/s,写入带宽4.4GB/s。访问延迟30微秒。容量5.12T。

  PCM需要程序做一些改进:

  1、写之前先读,只写被修改的位。

  2、每行前面加一个标志位。称为翻转位。假如为1,代表其它的位是0-1翻转过的。

  不读写时可以不用通电保持数据,解决计算机存储和访问速度问题。

  NVDIMM:non-volaitle dual inline memory module,一种集成了普通DDR RAM + 非易失性FLASH芯片的内存条。在系统异常掉电时,NVDIMM借助其后备超级电容作为动力源,在短时间内将数据放入flash芯片,从而永久保存内存中的数据。相比其他介质的非易失性内存,NVDIMM已逐步进入主流服务器市场,micron,viking,AGIGA等国外内存厂商皆以推出自己的NVDIMM。国内厂商云动科技也了推出了自己的NVDIMM产品,并给出了基于NVDIMM的全系统保护演示示例。

  • 快速搜索
  • 热门词条

粤公网安备 44030502002758号